PN结的结构

考虑两块半导体，一块是n型，一块是p型。在n 型半导体中电子很多而空穴很少，在p 型半导体中空穴很多而电子很少。

当这两块半导体结合形成pn结时，由于它们之间存在载流子浓度梯度，导致了空穴从p区到n区，电子从n区到p区的扩散运动。

对于p 区，空穴离开后，留下了不可动的带负电的电离受主，这些电离受主，没有正电荷与之保持电中性，因此，在p-n结附近p 区一侧出现了一个负电区域。同理，在p-n结附近n 区一侧出现了由电离施主构成的一个正电荷区，通常就把在p-n结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。

空间电荷区中的这些电荷产生了从n 区指向p区，即从正电荷指向负电荷的电场，称为内建电场。在内建电场的作用下，载流子作漂移运动。显然，电子和空穴的漂移运动方向与它们各自的扩散运动方向相反。因此， 内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。