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掺杂

通过在晶体硅中＂掺杂＂其它原子可以打破原先电子与空穴的平衡比硅多一个价电子的原子增加了导带中的电子从而增加了电子的数量，可以用来制备ｎ型半导体材料。引入比硅多一个价电子的原子增加了导带中的电子从而增加了电子的数量，可以用来制备ｎ型半导体材料。而引入比硅少一个价电子的原子则增加了受限的电子，从而增加了材料中空穴的数量，形成ｐ型半导体材料在掺杂材料中，总是有一种载流子其浓度高于另一种载流子，我们管浓度较高的载流子叫“多数载流子”，相应的，浓度较低的载流子叫做“少数载流子”。

下面的表格总结了不同类型半导体材料的属性：

	P型(positive)	N型(negative)
掺杂物	三族元素	五族元素
带	缺失电子(空穴)	剩余电子
多数载流子	空穴	电子
少数载流子	电子	空穴